TLV271IDR vs TLV272CDR
Dieser detaillierte Vergleich von TLV272CDR und TLV271IDR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
Beschreibung
ProductStatus
Active
Active
AmplifierType
General Purpose
CMOS
NumberofCircuits
2
1
OutputType
Rail-to-Rail
Rail-to-Rail
SlewRate
2.6V/µs
2.6V/µs
GainBandwidthProduct
3 MHz
3 MHz
Current-InputBias
1 pA
1 pA
Voltage-InputOffset
500 µV
500 µV
Current-Supply
550µA (x2 Channels)
625µA
Current-Output/Channel
8 mA
8 mA
Voltage-SupplySpan(Min)
2.7 V
2.7 V
Voltage-SupplySpan(Max)
16 V
16 V
OperatingTemperature
0°C ~ 70°C (TA)
-40°C ~ 125°C
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
