UCC27200DDAR vs UCC27200D Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von UCC27200DDAR und UCC27200D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
UCC27200DDAR

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2054 Stückzahl | Texas Instruments
UCC27200D

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7093 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR UCC27200 120V BOOT, 3-A PEAK, HI
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 8V ~ 17V -
Logic Voltage - VILVIH 3V, 8V -
Current - Peak Output(Source Sink) 3A, 3A -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 120 V -
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 7ns -
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Vergleichsmodell : UCC27200DDAR UCC27200D

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