UCC27425DR vs UCC27322MDEP

Dieser detaillierte Vergleich von UCC27425DR und UCC27322MDEP bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
UCC27425DR

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5594 Stückzahl | Texas Instruments
UCC27322MDEP

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6752 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC POWER MANAGEMENT
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side Low-Side
ChannelType Independent Single
NumberofDrivers 2 1
GateType N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage-Supply 4V ~ 15V 4V ~ 15V
LogicVoltage-VILVIH 1V, 2V 1V, 2V
Current-PeakOutput(SourceSink) 4A, 4A 9A, 9A
InputType Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ) 20ns, 15ns 20ns, 20ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) -55°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : UCC27425DR UCC27322MDEP

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