UCC27710DR vs UCC27425DR

Dieser detaillierte Vergleich von UCC27710DR und UCC27425DR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification UCC27710DR UCC27425DR
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Low-Side
Channel Type Synchronous Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 4V ~ 15V
Logic Voltage - VILVIH 1.5V, 1.6V 1V, 2V
Current - Peak Output(Source Sink) 500mA, 1A 4A, 4A
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 40ns, 20ns 20ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Input Type - Inverting, Non-Inverting
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