ECH8651R-TL-H

Abbildungen dienen nur als Referenz

ECH8651R-TL-H

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MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 10A
Rds On(Max) @ Id Vgs 14mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Power - Max 1.5W
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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