IXFA12N65X2

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IXFA12N65X2

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MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXFA12N65X2

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Ultra X2
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 310mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1134 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263AA (IXFA)

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