IXFN40N110P

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IXFN40N110P

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MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXFN40N110P

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Polar
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 34A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 260mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 310 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 19000 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

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