IXTA110N12T2

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IXTA110N12T2

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MOSFET N-CH 120V 110A TO263

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXTA110N12T2

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series TrenchT2™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 14mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6570 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 517W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263AA

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