IXTD4N80P-3J

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IXTD4N80P-3J

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MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXTD4N80P-3J

  • Auf Lager6341

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Bulk
Series PolarHV™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 14.2 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 750 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package Die

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