IXTF1N250

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IXTF1N250

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MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXTF1N250

  • Auf Lager12

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 2500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1660 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 110W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package ISOPLUS i4-PAC™

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