IXTH60N10

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IXTH60N10

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MOSFET N-CH 100V 60A TO247

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXTH60N10

  • Auf Lager6347

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 20mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)

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