IXTM67N10

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IXTM67N10

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MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXTM67N10

  • Auf Lager4506

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series GigaMOS™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 67A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 25mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 4mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-204AE

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