IXTT2N170D2

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IXTT2N170D2

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MOSFET N-CH 1700V 2A TO268

  • HerstellerIXYS

  • Herstellerteil #IXTT2N170D2

  • Auf Lager520

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series Depletion
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2A (Tj)
Rds On(Max) @ Id Vgs 6.5Ohm @ 1A, 0V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3650 pF @ 25 V
FET Feature Depletion Mode
Power Dissipation (Max) 568W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-268AA

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