NDS8852H

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NDS8852H

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MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier onsemi
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.3A, 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 80mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 300pF @ 15V
Power - Max 1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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