NTHD2102PT1

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NTHD2102PT1

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MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 16nC @ 2.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 715pF @ 6.4V
Power - Max 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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