NTHD4401PT1G

Abbildungen dienen nur als Referenz

NTHD4401PT1G

+Stückliste

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 300pF @ 10V
Power - Max 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Produkte, die mit NTHD4401PT1G zusammenhängen

  • Schnellangebot

  • Senden Sie Ihre Angebotsanfrage für NTHD4401PT1G Mit diesem Formular können Sie uns innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.