NVMD6P02R2G

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NVMD6P02R2G

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MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

  • HerstellerOnsemi

  • Herstellerteil #NVMD6P02R2G

  • Paket SOIC-8

  • Auf Lager9815

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Bulk
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1700pF @ 16V
Power - Max 750mW
Mounting Type Surface Mount

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