QS8M12TCR

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QS8M12TCR

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MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 42mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.4nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 250pF @ 10V
Power - Max 1.5W
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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