SH8M11TB1

Abbildungen dienen nur als Referenz

SH8M11TB1

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MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

  • HerstellerRohm Halbleiter

  • Herstellerteil #SH8M11TB1

  • Paket SOIC-8

  • Auf Lager8751

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR)
Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 98mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.9nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 85pF @ 10V
Power - Max 2W
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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