2N7002,215 vs 2N7002V-TP Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002,215 und 2N7002V-TP bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT-23-3
SOT-666
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
Supplier
-
Micro Commercial Co
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N-Channel
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
300mA (Ta)
280mA
Rds On(Max) @ Id Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.5V @ 250µA
2.5V @ 250µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
50 pF @ 10 V
50pF @ 25V
Power - Max
-
150mW
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
TrenchMOS™
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
-
Vgs(Max)
±30V
-
Power Dissipation (Max)
830mW (Ta)
-
