2N7002-7-F vs 2N7002E-T1-E3 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002E-T1-E3 und 2N7002-7-F bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
2N7002E-T1-E3

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7566 Stückzahl | Vishay Siliconix
2N7002-7-F

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5757 Stückzahl | Dioden Incorporated
Paket SOT-23-3 SOT-23-3
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 240mA (Ta) 115mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3Ohm @ 250mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 21 pF @ 5 V 50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) 370mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : 2N7002E-T1-E3 2N7002-7-F

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