2N7002E vs 2N7001TQDCKRQ1

Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002E und 2N7001TQDCKRQ1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002E

Elektronische Komponenten von Panasonic

Lifecycle
Active
Stock
3552 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Specification 2N7002E 2N7001TQDCKRQ1
Supplier - Texas Instruments
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Obsolete Active
Translator Type - Voltage Level
Channel Type - Unidirectional
Number of Circuits - 1
Channelsper Circuit - 1
Voltage - VCCA - 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB - 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal - CMOS
Output Signal - CMOS
Output Type - Push-Pull
Data Rate - 100Mbps
Operating Temperature 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 300mA (Ta) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 3Ohm @ 100mA, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 40 pF @ 10 V -
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) -
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