2N7002E vs 2N7002V

Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002E und 2N7002V bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002E

Elektronische Komponenten von Panasonic

Lifecycle: Active
Stock: 3552 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

2N7002V

Fairchild Halbleiter

Lifecycle: Active
Stock: 4358 Stückzahl
Package: SOT-666
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	2N7002E	2N7002V
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	-	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	300mA (Ta)	280mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	3Ohm @ 100mA, 10V	7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	40 pF @ 10 V	50pF @ 25V
Power - Max	-	250mW
Operating Temperature	150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	-
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.8 nC @ 4.5 V	-
Vgs(Max)	±20V	-
Power Dissipation (Max)	350mW (Ta)	-

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