2N7002E vs 2N7002VA-7-F

Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002E und 2N7002VA-7-F bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002E

Elektronische Komponenten von Panasonic

Lifecycle
Active
Stock
3552 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

2N7002VA-7-F

Dioden Incorporated

Lifecycle
Active
Stock
4202 Stückzahl
Package
SOT-666
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification 2N7002E 2N7002VA-7-F
Supplier - Diodes Incorporated
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 300mA (Ta) 280mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 3Ohm @ 100mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 40 pF @ 10 V 50pF @ 25V
Power - Max - 150mW
Operating Temperature 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) -
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