2N7002K-T1-GE3 vs 2N7002E-T1-E3

Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002K-T1-GE3 und 2N7002E-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002K-T1-GE3

Vishay Siliconix

Lifecycle
Active
Stock
4371 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

2N7002E-T1-E3

Vishay Siliconix

Lifecycle
Active
Stock
7566 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification 2N7002K-T1-GE3 2N7002E-T1-E3
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 300mA (Ta) 240mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V 3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 30 pF @ 25 V 21 pF @ 5 V
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series TrenchFET® -
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