2N7002E vs 2N7002K-T1-GE3

Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002E und 2N7002K-T1-GE3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002E

Elektronische Komponenten von Panasonic

Lifecycle: Active
Stock: 3552 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

2N7002K-T1-GE3

Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 4371 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	2N7002E	2N7002K-T1-GE3
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	300mA (Ta)	300mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	3Ohm @ 100mA, 10V	2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.8 nC @ 4.5 V	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	40 pF @ 10 V	30 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	350mW (Ta)	350mW (Ta)
Operating Temperature	150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	-	TrenchFET®

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