AUIRF7341QTR vs AUIRF7304QTR

Dieser detaillierte Vergleich von AUIRF7341QTR und AUIRF7304QTR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

AUIRF7341QTR

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
4160 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

AUIRF7304QTR

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
7040 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification AUIRF7341QTR AUIRF7304QTR
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Discontinued at Digi-Key
FET Type - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs - 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 22nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 610pF @ 15V
Power - Max 2.4W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number AUIRF7341 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V -
Grade Automotive -
Qualification AEC-Q101 -
Packaging Tape & Reel (TR) -
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