AUIRF7341QTR vs AUIRF7319QTR

Dieser detaillierte Vergleich von AUIRF7341QTR und AUIRF7319QTR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

AUIRF7341QTR

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
4160 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification AUIRF7341QTR AUIRF7319QTR
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Active
Series HEXFET® -
Base Product Number AUIRF7341 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V -
Power - Max 2.4W -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Grade Automotive -
Qualification AEC-Q101 -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Tape & Reel (TR) -