AUIRF7341QTR vs AUIRF7342Q

Dieser detaillierte Vergleich von AUIRF7341QTR und AUIRF7342Q bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

AUIRF7341QTR

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4160 Stückzahl
Series: Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays

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Part B

AUIRF7342Q

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4443 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	AUIRF7341QTR	AUIRF7342Q
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Obsolete	Obsolete
FET Type	-	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V	55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	38nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	690pF @ 25V
Power - Max	2.4W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Base Product Number	AUIRF7341	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.1A	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 5.1A, 10V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 25V	-
Grade	Automotive	-
Qualification	AEC-Q101	-
Packaging	Tape & Reel (TR)	-

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