AUIRS2181STR vs AUIRS20162STR

Dieser detaillierte Vergleich von AUIRS2181STR und AUIRS20162STR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
AUIRS2181STR

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5680 Stückzahl | Infineon-Technologien
AUIRS20162STR

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4689 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Series - Automotive, AEC-Q100
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge High-Side
ChannelType Independent Single
NumberofDrivers 2 1
GateType IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 4.4V ~ 20V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A 250mA, 250mA
InputType Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 150 V
Rise/FallTime(Typ) 15ns, 15ns 200ns, 200ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V -
Vergleichsmodell : AUIRS2181STR AUIRS20162STR

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