AUIRS2181STR vs AUIRS1170STR

Dieser detaillierte Vergleich von AUIRS2181STR und AUIRS1170STR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
AUIRS2181STR

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5680 Stückzahl | Infineon-Technologien
AUIRS1170STR

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2241 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRIVER 200V 8SOIC
ProductStatus Active Active
Applications - Secondary-Side Controller
Voltage-Input - 200V
Voltage-Supply 10V ~ 20V 11V ~ 18V
Current-Supply - 45 mA
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -25°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType IGBT, N-Channel MOSFET -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A -
InputType Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V -
Rise/FallTime(Typ) 15ns, 15ns -
Vergleichsmodell : AUIRS2181STR AUIRS1170STR

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