BC847BTT1G vs BC847AT,115

Dieser detaillierte Vergleich von BC847BTT1G und BC847AT,115 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847BTT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4750 Stückzahl
Package: SOT-416
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Part B

BC847AT,115

NXP USA Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 4056 Stückzahl
Package: SOT-416
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Full specification comparison

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Specification	BC847BTT1G	BC847AT,115
Supplier	onsemi,Rochester Electronics, LLC	NXP USA Inc.,Rochester Electronics, LLC
Series	-	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	NPN	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45 V	45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	600mV @ 5mA, 100mA	400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	200 @ 2mA, 5V	110 @ 2mA, 5V
Power - Max	225 mW	150 mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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