BC847BTT1G vs BC847AW

Dieser detaillierte Vergleich von BC847BTT1G und BC847AW bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847BTT1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4750 Stückzahl
Package
SOT-416
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
Part B

BC847AW

Diotec Halbleiter

Lifecycle
Active
Stock
7119 Stückzahl
Package
SOT-323
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BC847BTT1G BC847AW
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC DComponents
Part Status Active Active
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V 110 @ 2mA, 5V
Power - Max 225 mW 200 mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount