BC847BTT1G vs BC847BMB,315

Dieser detaillierte Vergleich von BC847BTT1G und BC847BMB,315 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847BTT1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4750 Stückzahl
Package
SOT-416
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
+Stückliste Anfrage
Part B

BC847BMB,315

NXP Halbleiter

Lifecycle
Active
Stock
8417 Stückzahl
Package
SOT-883
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
+Stückliste Anfrage

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Specification BC847BTT1G BC847BMB,315
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Rochester Electronics, LLC
Series - Automotive, AEC-Q101
Part Status Active Active
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V
Power - Max 225 mW 250 mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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