BC856BDW1T1G vs BC856B

Dieser detaillierte Vergleich von BC856B und BC856BDW1T1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BC856B

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1695 Stückzahl | Diotec Halbleiter
BC856BDW1T1G

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3990 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT23 SOT-363-6
Beschreibung TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6
ProductStatus Active Active
TransistorType PNP 2 PNP (Dual)
Current-Collector(Ic)(Max) 100 mA 100mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 65 V 65V
VceSaturation(Max)@IbIc 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
Current-CollectorCutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V
Power-Max 250 mW 380mW
Frequency-Transition 100MHz 100MHz
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : BC856B BC856BDW1T1G

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