BC856BDW1T1G vs BC856BDW1T3

Dieser detaillierte Vergleich von BC856BDW1T1G und BC856BDW1T3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BC856BDW1T1G

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3990 Stückzahl | Onsemi
BC856BDW1T3

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5795 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-363-6 SC-88
Beschreibung TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6 TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363
Supplier - Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
TransistorType 2 PNP (Dual) 2 PNP (Dual)
Current-Collector(Ic)(Max) 100mA 100mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 65V 65V
VceSaturation(Max)@IbIc 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V
Power-Max 380mW 380mW
Frequency-Transition 100MHz 100MHz
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-CollectorCutoff(Max) 15nA (ICBO) -
Vergleichsmodell : BC856BDW1T1G BC856BDW1T3

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