BSS138 vs BSS138LT1G

Dieser detaillierte Vergleich von BSS138LT1G und BSS138 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BSS138LT1G

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2952 Stückzahl | Onsemi
BSS138

+Stückliste

5301 Stückzahl | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Paket SOT23-3 SOT23 (Standard)
Beschreibung MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 50 V 50 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 200mA (Ta) 340mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3.5Ohm @ 200mA, 5V 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 1mA 1.6V @ 250µA
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 50 pF @ 25 V 28.5 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 225mW (Ta) 350mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 1.7 nC @ 10 V
Vergleichsmodell : BSS138LT1G BSS138

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