BSS84LT1G vs BSS84PH6327XTSA2

Dieser detaillierte Vergleich von BSS84LT1G und BSS84PH6327XTSA2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BSS84LT1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6051 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Specification BSS84LT1G BSS84PH6327XTSA2
Series - SIPMOS®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 130mA (Ta) 170mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V 8Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 20µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 1.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 30 pF @ 5 V 19 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta) 360mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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