BSS84LT1G vs BSS84

Dieser detaillierte Vergleich von BSS84LT1G und BSS84 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BSS84LT1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6051 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

BSS84

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Lifecycle
Active
Stock
3000 Stückzahl
Package
SOT-23
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification BSS84LT1G BSS84
Part Status Active Active
FET Type P-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 130mA (Ta) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V -
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 30 pF @ 5 V -
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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