BSS84 vs BSS84LT1G

Dieser detaillierte Vergleich von BSS84LT1G und BSS84 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BSS84LT1G

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6051 Stückzahl | Onsemi
BSS84

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3000 Stückzahl | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Paket SOT23-3 SOT23 (Standard)
Beschreibung MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 50 V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 130mA (Ta) -
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V -
RdsOn(Max)@IdVgs 10Ohm @ 100mA, 5V -
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA -
Vgs(Max) ±20V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 30 pF @ 5 V -
PowerDissipation(Max) 225mW (Ta) -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : BSS84LT1G BSS84

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