BSS84W-7-F vs BSS84 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von BSS84 und BSS84W-7-F bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BSS84

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3000 Stückzahl | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
BSS84W-7-F

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1643 Stückzahl | Dioden Incorporated
Paket SOT-23 SOT-323-3
Beschreibung P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Part Status Active Active
FET Type - P-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 50 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 130mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 5V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2V @ 1mA
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 45 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) - 200mW (Ta)
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Vergleichsmodell : BSS84 BSS84W-7-F

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