BSS84 vs BSS84PH6327XTSA2

Dieser detaillierte Vergleich von BSS84 und BSS84PH6327XTSA2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BSS84

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Lifecycle
Active
Stock
3000 Stückzahl
Package
SOT-23
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Specification BSS84 BSS84PH6327XTSA2
Series - SIPMOS®
Part Status Active Active
FET Type - P-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 170mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 8Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2V @ 20µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 1.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 19 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) - 360mW (Ta)
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
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