BSS84 vs BSS84PH6327XTSA2

Dieser detaillierte Vergleich von BSS84 und BSS84PH6327XTSA2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BSS84

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3000 Stückzahl | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
BSS84PH6327XTSA2

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6512 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOT23 (Standard) SOT23-3
Beschreibung P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Series - SIPMOS®
ProductStatus Active Active
FETType - P-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 170mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 8Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 2V @ 20µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 1.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 19 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) - 360mW (Ta)
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Vergleichsmodell : BSS84 BSS84PH6327XTSA2

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