BSS84LT1G vs BSS84V-7-79

Dieser detaillierte Vergleich von BSS84LT1G und BSS84V-7-79 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BSS84LT1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6051 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

BSS84V-7-79

Dioden Incorporated

Lifecycle
Active
Stock
6229 Stückzahl
Package
SOT-666
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification BSS84LT1G BSS84V-7-79
Supplier - Diodes Incorporated
Part Status Active Obsolete
FET Type P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature - Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V 50V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 130mA (Ta) 130mA (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 1mA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 30 pF @ 5 V 45pF @ 25V
Power - Max - 150mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta) -
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