CSD16409Q3 vs CSD16321Q5 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von CSD16321Q5 und CSD16409Q3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TDFN-8
TDFN-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
31A (Ta), 100A (Tc)
15A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
3V, 8V
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1.4V @ 250µA
2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
+10V, -8V
+16V, -12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
3100 pF @ 12.5 V
800 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta)
2.6W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
