CSD17576Q5B vs CSD17310Q5A

Dieser detaillierte Vergleich von CSD17576Q5B und CSD17310Q5A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17576Q5B

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 2263 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

CSD17310Q5A

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 5654 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	CSD17576Q5B	CSD17310Q5A
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	100A (Ta)	21A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs	2mOhm @ 25A, 10V	5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.8V @ 250µA	1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V	11.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	+10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	4430 pF @ 15 V	1560 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 125W (Tc)	3.1W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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