CSD17579Q5A vs CSD17501Q5A

Dieser detaillierte Vergleich von CSD17579Q5A und CSD17501Q5A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17579Q5A

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 5567 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

CSD17501Q5A

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 6416 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	CSD17579Q5A	CSD17501Q5A
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	25A (Ta)	100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	9.7mOhm @ 8A, 10V	2.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2V @ 250µA	1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	15.1 nC @ 10 V	17 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1030 pF @ 15 V	2630 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 36W (Tc)	3.2W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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