CSD17556Q5B vs CSD17579Q5A

Dieser detaillierte Vergleich von CSD17556Q5B und CSD17579Q5A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17556Q5B

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
5685 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

CSD17579Q5A

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
5567 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD17556Q5B CSD17579Q5A
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 34A (Ta), 100A (Tc) 25A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.4mOhm @ 40A, 10V 9.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.65V @ 250µA 2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V 15.1 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7020 pF @ 15 V 1030 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 191W (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare Anfrage