CSD17556Q5B vs CSD17308Q3

Dieser detaillierte Vergleich von CSD17556Q5B und CSD17308Q3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17556Q5B

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 5685 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

CSD17308Q3

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 5348 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	CSD17556Q5B	CSD17308Q3
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	34A (Ta), 100A (Tc)	14A (Ta), 44A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs	1.4mOhm @ 40A, 10V	10.3mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.65V @ 250µA	1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	39 nC @ 4.5 V	5.1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	+10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	7020 pF @ 15 V	700 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 191W (Tc)	2.7W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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