CSD18502Q5B vs CSD18537NQ5A

Dieser detaillierte Vergleich von CSD18502Q5B und CSD18537NQ5A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD18502Q5B

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 2653 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

Part B

CSD18537NQ5A

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 2636 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	CSD18502Q5B	CSD18537NQ5A
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	26A (Ta), 100A (Tc)	50A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	2.3mOhm @ 30A, 10V	13mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.2V @ 250µA	3.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V	18 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	5070 pF @ 20 V	1480 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 156W (Tc)	3.2W (Ta), 75W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Anfrage