CSD18502Q5B vs CSD18540Q5B

Dieser detaillierte Vergleich von CSD18502Q5B und CSD18540Q5B bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD18502Q5B

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
2653 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

CSD18540Q5B

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
6018 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Specification CSD18502Q5B CSD18540Q5B
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 26A (Ta), 100A (Tc) 100A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.3mOhm @ 30A, 10V 2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5070 pF @ 20 V 4230 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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