CSD87331Q3D vs CSD87350Q5D

Dieser detaillierte Vergleich von CSD87331Q3D und CSD87350Q5D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87331Q3D

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 6404 Stückzahl
Package: LDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

CSD87350Q5D

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 7004 Stückzahl
Package: LDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	CSD87331Q3D	CSD87350Q5D
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Half Bridge)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	15A	40A
Vgs(th)(Max) @ Id	2.1V, 1.2V @ 250µA	2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	3.2nC @ 4.5V	10.9nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	518pF @ 15V	1770pF @ 15V
Power - Max	6W	12W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	5.9mOhm @ 20A, 8V

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